隨著全球政策牽引、資本驅(qū)動和技術(shù)路徑日趨清晰，可控核聚變商業(yè)化按下“加速鍵”，2026年更是被視作可控核聚變元年。 近日在合肥舉行的2026核聚變能科技與產(chǎn)業(yè)大會（簡稱“核聚變產(chǎn)業(yè)大會”），吸引了眾多科研機(jī)構(gòu)、重點(diǎn)高校、金融機(jī)構(gòu)、產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)，不少上市公司也前往大會現(xiàn)場“秀肌肉”。證券時(shí)報(bào)記者采訪獲悉，憑借前瞻布局、技術(shù)積累與資本運(yùn)作，一批上市公司在超導(dǎo)材料、核心設(shè)備、工程總包等環(huán)節(jié)深度參與可控核聚變重大項(xiàng)目，成為推動其產(chǎn)業(yè)化的重要力量。 與此同時(shí)，在可控核聚變投資熱潮下，也有分析人士直言

有投資者在互動平臺向宏微科技提問：“董秘你好，請介紹一下公司在可控核聚變方面的布局和優(yōu)勢?！?針對上述提問，宏微科技回應(yīng)稱：“尊敬的投資者，您好，公司密切關(guān)注可控核聚變技術(shù)的發(fā)展動態(tài)，并在可控核聚變關(guān)鍵功率器件領(lǐng)域進(jìn)行前瞻性布局，已與國內(nèi)頭部核聚變裝置廠商及電源廠商廣泛合作。目前，公司聚焦于核聚變裝置所需的核心系統(tǒng)（如背景磁場電源系統(tǒng)、脈沖電源系統(tǒng)、輔助加熱電源系統(tǒng)）中半導(dǎo)體開關(guān)器件的研發(fā)，依托在IGBT、SiC等高壓功率半導(dǎo)體芯片、模塊的高可靠性設(shè)計(jì)、封裝及測試技術(shù)優(yōu)勢，為核聚變裝置提供功率

聚變堆主機(jī)關(guān)鍵系統(tǒng)綜合研究設(shè)施（CRAFT）作為我國在核聚變研究領(lǐng)域的“重器”，其建設(shè)步伐始終與全球能源變革的大趨勢緊密相連、同頻共振。 {jz:field.toptypename/} 等離子體與壁相互作用的研究，那可是聚變裝置實(shí)現(xiàn)長周期運(yùn)行的關(guān)鍵突破口。就說材料表面改性技術(shù)吧，科研人員通過在第一壁材料表面沉積鎢涂層或者碳化硅復(fù)合層，給材料穿上了一層耐高溫、抗濺射的“保護(hù)鎧甲”。有實(shí)驗(yàn)表明，經(jīng)過離子束輔助沉積處理的鎢裝甲，在經(jīng)歷了10萬次等離子體脈沖沖擊后，表面粗糙度僅僅增加了0.3微米，和未